Intel确认2028年High-NA ... Latest News
据Tom's Hardware于2026年10月21日报道，英特尔（Intel）在其位于亚利桑那州的Fab 62晶圆厂正式安装首批生产工具，同时更新了俄亥俄州芯片工厂的建设进度。该公司还首次明确表示，高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术将在2028年进入高产量制造阶段，这一时间表领先于台积电和三星的公开计划。
明星退圈亚利桑那Fab 62：从动工到设备安装
根据Intel向Tom's Hardware提供的详细信息，Fab 62是Intel在亚利桑那州钱德勒园区扩建计划的核心部分。该工厂最早于2024年破土动工，总投资约200亿美元。2026年10月，首批用于先进制程的量产工具已运抵并开始安装，标志着工厂从建设阶段转入设备装机阶段。Intel副总裁Ann Kelleher表示：“安装生产工具是我们在亚利桑那迈出的重要里程碑，展示了我们将先进制造带回美国的承诺。”该工厂预计将在2027年下半年开始试产，主要生产采用Intel 18A（相当于1.8nm）及更先进工艺的芯片。
明星隐退俄亥俄州“硅谷心脏”工厂最新进展
除了亚利桑那，Intel在俄亥俄州利金县的“俄亥俄一号”巨型晶圆厂也正在按计划推进。据Bloomberg此前援引Intel内部信源称，该工厂的混凝土基础施工已完成约70%，首批超净车间预计在2027年底封顶。Intel CEO Pat Gelsinger在一次投资者电话会议上表示：“俄亥俄工厂将成为美国半导体制造的基石，我们正在为2028年的设备安装做准备。”该园区规划容纳4个独立晶圆厂，总占地面积超过1000英亩，总投资可能超过400亿美元。
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High-NA EUV：2028年量产路线图确认
Intel确认其将从2028年开始在俄亥俄和亚利桑那工厂使用High-NA EUV光刻机进行高产量制造。这种由ASML独家供应的下一代光刻系统（型号TWINSCAN EXE:5200）单台价值超过3.8亿美元，能够以0.55数值孔径的投影光学系统实现更精细的电路图案。Intel首席技术官Ann Kelleher指出：“High-NA EUV是我们实现超越1.8nm节点、迈向A14（1.4nm）节点的关键。”相比现有EUV（0.33数值孔径），High-NA EUV可将单一曝光的分辨率从13nm降低至8nm，减少多重图案化需求，从而降低成本并提高良率。
明星签约全球半导体设备竞赛时间表对比
为了更直观地展示各大芯片制造商在High-NA EUV部署上的节奏，以下基于公开信息整理：
| 厂商 | 首批High-NA EUV交付年份 | 高产量制造开始年份 | 主要部署工厂 |
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| Intel | 2024年底 | 2028 | 俄亥俄一号、亚利桑那Fab 62 |
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| 台积电（TSMC） | 2025年下半年 | 2030（计划） | 台中F18、美国亚利桑那Fab 21 |
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| 三星（Samsung） | 2025年上半年 | 2029（预计） | 华城S3、泰勒工厂 |
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从表中可以看到，Intel在High-NA EUV的采用上至少领先竞争对手两年。根据Reuters的分析，这一先发优势可能帮助Intel在代工市场上重新夺回技术领导地位。
对美本土半导体制造的战略意义
Intel这些举措是在美国《芯片与科学法案》资助背景下推进的。2022年法案拨款约527亿美元用于支持本土半导体制造。据Intel官方公布数据，公司已在亚利桑那、俄亥俄、新墨西哥、俄勒冈等地累计投资超过440亿美元。Fab 62和俄亥俄一号一旦全面投产，将每天生产超过10万片晶圆，覆盖从汽车电子到人工智能计算的广泛需求。分析师认为，这有助于降低美国对东亚代工的依赖，减少供应链风险。
技术挑战与行业质疑
尽管Intel雄心勃勃，但部分业界人士对其High-NA EUV量产时间表存疑。ASML此前表示，High-NA EUV机台的交付周期长达18-24个月，且维护成本极高。台积电CEO魏哲家曾公开指出：“High-NA EUV在成本和成熟度上的优势要到2029-2030年才显现。”Intel却坚持其路线图。在2026年第三季度财报电话会议上，Gelsinger强调：“我们已在实验室用ASML量产型High-NA EUV机台进行了超过10000片晶圆的测试，良率符合预期。”
常见问题（FAQ）
Q1: 什么是High-NA EUV光刻技术？
A1: High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）是ASML开发的下一代光刻系统，数值孔径从传统EUV的0.33提升至0.55，单次曝光分辨率可达8nm，是目前唯一能够以经济方式制造1.4nm（A14级）及更先进芯片的技术。每套系统售价超过3.8亿美元，重量约200吨。
Q2: Intel的俄亥俄工厂何时能开始生产芯片？
A2: 根据Intel 2026年10月的最新更新，俄亥俄一号工厂预计在2028年安装首批High-NA EUV设备，并于2029年初开始高产量制造。该工厂将成为Intel最先进的制程节点（A14及后续）的主生产基地，总建设投资预计超过400亿美元。
总结与展望
Intel通过亚利桑那Fab 62的设备安装、俄亥俄工程的稳步推进以及对2028年High-NA EUV量产的明确承诺，展示了其在先进半导体制造领域的积极姿态。随着设备陆续到位，这家老牌芯片巨头正力求在代工业务上重回行业巅峰。未来两年将是验证其技术时间表能否兑现的关键窗口。
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Intel在亚利桑那Fab 62安装首批量产工具，并更新俄亥俄晶圆厂进展，确认2028年采用High-NA EUV进行高产量制造。这一时间表领先台积电和三星，对半导体代工格局产生深远影响。
